학술지
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2024 |
Improved frequency performance in AlGaN/GaN HEMTs on Si using hydrogen silsesquioxane-assisted gate
정현욱 Materials Science in Semiconductor Processing, v.170, pp.1-5 |
0 |
원문
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학술대회
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2023 |
Novel T-Shaped Gate Structure of AlGaN/GaN HEMTs on Si for RF Application
정현욱 The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2023, pp.1-1 |
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학술대회
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2023 |
Ku-Band 35W Power Amplifier MMIC Using 0.15 µm GaN HEMT Technology
노윤섭 PhotonIcs and Electromagnetics Research Symposium (PIERS) 2023, pp.794-797 |
0 |
원문
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학술대회
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2022 |
Effect of T-gate Structure on RF Characteristic in AlGaN/GaN HEMTs
정현욱 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1 |
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학술대회
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2022 |
InAlGaN/GaN HEMTs with over cut-off frequency of 160 GHz
장성재 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2022, pp.1-1 |
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학술대회
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2022 |
0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 Ku대역 SPDT 스위치 MMIC 개발
노윤섭 한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2022, pp.354-354 |
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학술지
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2021 |
Van der Waals Heterostructure of Hexagonal Boron Nitride with an AlGaN/GaN Epitaxial Wafer for High-Performance Radio Frequency Applications
문석호 ACS Applied Materials & Interfaces, v.13 no.49, pp.58253-59592 |
8 |
원문
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학술대회
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2021 |
Design of A Ka-Band High Efficiency Power Amplifier MMIC Based on GaN HEMT Technology for 5G Base Station
안현배 한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2021, pp.634-635 |
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학술대회
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2021 |
InAlGaN/GaN HEMT 제작 및 특성
정현욱 대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.223-225 |
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학술대회
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2021 |
GaN HEMT 대면적 소자 모델링을 위한 DC 바이어스 조건에 따른 게이트 채널 위치별 발생 온도 특성 분석
장우진 대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2021, pp.315-319 |
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학술대회
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2021 |
0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 X 대역 20W 급 전력증폭기 MMIC 개발
노윤섭 통신 정보 합동 학술 대회 (JCCI) 2021, pp.1-1 |
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학술대회
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2021 |
0.2um GaN HEMT 공정을 이용한 광대역 SPDT 스위치 MMIC 개발
노윤섭 한국전자파학회 종합 학술 대회 (동계) 2021, pp.139-139 |
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학술대회
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2020 |
AlGaN/GaN HEMT 소자의 source 와 drain 간격에 따른 주파수 특성 변화
강수철 한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2020, pp.543-543 |
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학술대회
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2020 |
선택적인 내부 비활성 영역을 갖는 AlGaN/GaN HEMT 특성
이종민 대한전자공학회 학술 대회 (하계) 2020, pp.488-489 |
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학술대회
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2020 |
Ohmic Contacts with Recess-etched and TMAH-treated Nanometer-scale Patterns for Improved Performance and Reliability in AlGaN/GaN HEMTs
정현욱 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2020, pp.790-790 |
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학술지
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2020 |
벌집 구조의 나노 채널을 이용한 다중 Fin-Gate GaN 기반 HEMTs의 제조 공정
김정진 전기전자재료학회논문지, v.33 no.1, pp.16-20 |
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학술지
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2019 |
GaN MIS-HEMT PA MMICs for 5G Mobile Devices
김성일 Journal of the Korean Physical Society, v.74 no.2, pp.196-200 |
4 |
원문
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학술대회
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2018 |
E-mode GaN HEMT Devices and PA MMICs for 5G Mobile Handsets
김성일 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2018, pp.255-255 |
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학술지
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2018 |
Operational Improvement of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor by an Inner Field-Plate Structure
곽현탁 Applied Sciences, v.8 no.6, pp.1-14 |
20 |
원문
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학술대회
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2018 |
Fabrication and Characteristics of GaN HEMT on SiC Device with Internal Backside Via-hole in Active Region for MMIC Applications
민병규 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.663-663 |
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학술대회
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2018 |
28GHz MMIC Power Amplifier based on 0.15um GaN HEMT Technology
강동민 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.1-1 |
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학술대회
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2018 |
내부 BVIA가 있는 GaN HEMT 소자를 이용한 모델링 및 MMIC 설계
김성일 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.634-634 |
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학술대회
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2018 |
Breakdown and Power Characteristics of GaN HEMTs with a Variation of Device Dimensions for S-band Applications
이종민 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2018, pp.667-667 |
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학술지
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2017 |
6-GHz-to-18-GHz AlGaN/GaN Cascaded Nonuniform Distributed Power Amplifier MMIC Using Load Modulation of Increased Series Gate Capacitance
신동환 ETRI Journal, v.39 no.5, pp.737-745 |
12 |
원문
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학술지
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2017 |
A Decade-Bandwidth Distributed Power Amplifier MMIC Using 0.25 μm GaN HEMT Technology
신동환 Journal of Electromagnetic Engineering and Science, v.17 no.4, pp.178-180 |
5 |
원문
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학술대회
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2017 |
X-Band GaN MMIC Power Amplifier for the SSPA of a SAR System
신동환 International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) 2017, pp.93-95 |
22 |
원문
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학술대회
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2017 |
Development of a 0.15 μm GaN HEMT MMIC Process
김해천 Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors (APWS) 2017, pp.1-2 |
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학술대회
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2017 |
Investigation of GaN Channel Thickness on the Channel Mobility in AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire Substrate
장성재 International Symposium on Radio-Frequency Integration Technology (RFIT) 2017, pp.87-89 |
3 |
원문
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학술지
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2017 |
Characterization of 0.18-μm Gate Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭 Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.360-364 |
2 |
원문
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학술대회
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2017 |
내부 BVIA가 있는 GaN HEMT 소자 특성 및 모델링
김성일 대한전자공학회 RF/아날로그 회로 워크숍 2017, pp.397-398 |
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학술지
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2017 |
Characteristics of Enhanced-Mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications
이종민 Journal of the Korean Physical Society, v.71 no.6, pp.365-369 |
5 |
원문
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학술대회
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2017 |
디지털 게이트 리세스 공정으로 제작한 AlGaN/GaN HEMT 소자의 DC/RF 특성
윤형섭 한국전기전자재료학회 학술 대회 (하계) 2017, pp.1-1 |
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학술대회
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2017 |
GaN HEMT Device Modeling and MMIC for Ka-band Applications
김성일 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2017, pp.1-1 |
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학술지
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2017 |
High Temperature Storage Test and Its Effect on the Thermal Stability and Electrical Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
이종민 Current Applied Physics, v.17 no.2, pp.157-161 |
12 |
원문
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학술지
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2017 |
ETRI 0.25 μm GaN MMIC 공정 및 X-대역 전력 증폭기 MMIC
이상흥 한국전자파학회논문지, v.28 no.1, pp.1-9 |
|
원문
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학술지
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2016 |
Dependence of GaN Channel Thickness on the Transistor Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown on Sapphire
장성재 ECS Journal of Solid State Science and Technology, v.5 no.12, pp.N102-N107 |
6 |
원문
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학술지
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2016 |
Microwave Low-Noise Performance of 0.17 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC With Wide Head Double-Deck T-Shaped Gate
윤형섭 IEEE Electron Device Letters, v.37 no.11, pp.1407-1410 |
24 |
원문
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학술대회
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2016 |
GaN HEMT 모델링 및 전력 증폭기 MMIC 설계
김성일 대한전자공학회 RF/아날로그 회로 워크숍 2016, pp.590-591 |
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학술대회
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2016 |
Characterization of 0.18 μm Gate-Length AlGaN/GaN HEMTs on SiC Fabricated Using Two-Step Gate Recessing
윤형섭 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Surface Treatment for Recessed Gate and its Effects on the Performance of Enhancement-mode AlGaN/GaN HEMTs
도재원 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Investgation of GaN Channel Quality on the Device Properties in AIGaN/GaN HEMTs
장성재 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Backside Process of AlGaN/GaN HEMT on SiC with Optimized Via-Hole Etching Conditions
민병규 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Characteristics of Enhanced-mode AlGaN/GaN MIS HEMTs for Millimeter Wave Applications
이종민 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 C-대역 5 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥 한국전자파학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.168-169 |
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학술대회
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2016 |
A 16 Watt X-Band GaN High Power Amplifier MMIC for Phased Array Applications
노윤섭 International Conference on Microwave and Millimeter Wave Technology (ICMMT) 2016, pp.1-3 |
6 |
원문
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학술대회
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2016 |
X-밴드 응용 분야를 위한 GaN HEMT 모델링
김성일 대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.2557-2560 |
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학술대회
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2016 |
ETRI 0.25 μm GaN HEMT 공정을 이용한 X-대역 3 W 및 6 W 전력 증폭기 MMIC
이상흥 대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2016, pp.1-3 |
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학술대회
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2016 |
The Characterization of High Power Density 0.15 μm AlGaN/GaN HEMTs for Their MMIC
김해천 Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe (WOCSDICE) 2016, pp.W17-W18 |
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학술대회
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2016 |
X-band 5W AlGaN/GaN HEMT Power MMICs
김성일 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Advanced Backend Processing and its Effects on the Performance and the Yield of GaN HEMT Deviceson SiC Substrate
도재원 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
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학술대회
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2016 |
Temperature Dependence of Current-voltage Characteristics of Packaged AlGaN/GaN HEMT on SiC Substrate
이종민 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-2 |
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학술대회
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2016 |
A Study of Stress and its Effect on Electrical Properties of AlGaN/GaN HEMT
정현욱 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2016, pp.1-1 |
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학술지
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2016 |
0.25 μm AlGaN/GaN HEMT 소자 및 9 GHz 대역 전력 증폭기
강동민 한국전자파학회논문지, v.27 no.1, pp.76-79 |
|
원문
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학술지
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2015 |
Asymmetric Broadband Doherty Power Amplifier Using GaN MMIC for Femto-Cell Base-Station
지승훈 IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, v.63 no.9, pp.2802-2810 |
49 |
원문
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학술대회
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2015 |
GaN High Power Amplifier MMIC for 30W Compact Doherty Amplifier for LTE Active Antenna System
장동필 European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC) 2015, pp.265-268 |
6 |
원문
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학술지
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2015 |
Fabrication and Electrical Properties of an AlGaN/GaN HEMT on SiC with a Taper-Shaped Backside Via Hole
민병규 Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.718-722 |
1 |
원문
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학술지
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2015 |
DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Gate Recessed by Using ICP Etching of BCl3/Cl2
윤형섭 Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.654-657 |
3 |
원문
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학술지
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2015 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준 Journal of the Korean Physical Society, v.67 no.4, pp.682-686 |
3 |
원문
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학술대회
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2015 |
AlGaN/GaN HEMT 소자 제작에서 게이트 리세스 공정 개선에 의한 소자 DC 특성의 변화
민병규 대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2015, pp.192-195 |
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학술대회
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2015 |
GaN High Power Devices and Their Applications
문재경 The Electrochemical Society (ECS) Meeting 2015 (ECS Transactions 66), v.66 no.1, pp.79-83 |
0 |
원문
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학술대회
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2015 |
Wide Head T-Shaped Gate Process for Low-Noise AlGaN/GaN HEMTs
윤형섭 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing Technology (CS MANTECH) 2015, pp.363-366 |
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학술지
|
2015 |
GaN HEMT MMIC Doherty Power Amplifier with High Gain and High PAE
박윤식 IEEE Microwave and Wireless Components Letters, v.25 no.3, pp.187-189 |
19 |
원문
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학술대회
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2015 |
X-band 40W Pulsed Power Amplifier using 0.2um AlGaN/GaN HEMT
강동민 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.192-192 |
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학술대회
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2015 |
Low-Noise Microwave Performance of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Wide Head T-Shaped Gate
윤형섭 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2015, pp.191-191 |
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학술지
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2015 |
X-Band 100 W Solid-State Power Amplifier Using a 0.25 μM GaN HEMT Technology
강동민 Microwave and Optical Technology Letters, v.57 no.1, pp.212-216 |
6 |
원문
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학술대회
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2014 |
Fabrication of GaN HEMT on SiC with Taper-Shaped Backside Via-Hole
민병규 International Symposium Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.80-80 |
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학술대회
|
2014 |
100W Pulsed SSPA Using 25W AlGaN/GaN HEMT Technology at 9.2 - 9.5 GHz
강동민 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.75-75 |
|
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학술대회
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2014 |
Characteristics of a Field Plate Connected to T-shaped Gate in AlGaN/GaN HEMTs
조규준 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.131-131 |
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학술대회
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2014 |
DC and RF Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs on SiC with Recessed Gate by ICP Etching of BCl3/SF6
윤형섭 International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA) 2014, pp.81-81 |
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학술지
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2014 |
Analysis of the Degradation of AlGaN/GaN HEMTs by High-temperature Operation Tests
이종민 Journal of the Korean Physical Society, v.64 no.10, pp.1446-1450 |
2 |
원문
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학술대회
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2014 |
Pt 기반의 쇼트키 접촉을 갖는 AlGaN/GaN HEMTs on SiC 의 특성
윤형섭 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2014, pp.1-1 |
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학술지
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2014 |
X-Band MMIC Low-Noise Amplifier MMIC on SiC Substrate Using 0.25-μm ALGaN/GaN HEMT Technology
장우진 Microwave and Optical Technology Letters, v.56 no.1, pp.96-99 |
8 |
원문
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학술대회
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2013 |
X-Band Low Noise Amplifier MMIC Using AlGaN/GaN HEMT Technology on SiC Substrate
장우진 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2013, pp.681-684 |
6 |
원문
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학술대회
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2013 |
GaN MMIC Broadband Doherty Power Amplifier
지승훈 Asia-Pacific Microwave Conference (APMC) 2013, pp.603-605 |
9 |
원문
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학술대회
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2013 |
X-Band 용 30W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
김성일 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
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학술대회
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2013 |
Packaged AlGaN/GaN HEMT with 100 W Output Power at 3 GHz
임종원 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
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학술대회
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2013 |
고온 저장 시험에 의한 GaN HEMT 소자의 특성 변화
이종민 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2013, pp.1-2 |
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학술지
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2012 |
Influence of Device Dimension and Gate Recess on the Characteristics of AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors
이종민 Microwave and Optical Technology Letters, v.54 no.9, pp.2103-2106 |
1 |
원문
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학술대회
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2012 |
X-band용 6W AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
김성일 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.381-382 |
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학술대회
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2012 |
Packaged GaN HEMT Power Bar with 17 W Output Power at 3 GHz
장우진 한국 반도체 학술 대회 (KCS) 2012, pp.1-2 |
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학술대회
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2010 |
S/X-band용 AlGaN/GaN HEMT 소자의 특성
장우진 대한전자공학회 종합 학술 대회 (하계) 2010, pp.1984-1987 |
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학술지
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2004 |
The effects of isoelectronic Al doping and process optimization for the fabrication of high-power AlGaN-GaN HEMTs
윤두협 IEEE Transactions on Electron Devices, v.51 no.5, pp.785-789 |
15 |
원문
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학술지
|
2003 |
High Power 0.25 μm Gate GaN HEMTs on Sapphire with Power Density 4.2 W/mm at 10 GHz
윤두협 Electronics Letters, v.39 no.6, pp.566-567 |
15 |
원문
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