주제어 : Critical gate
구분 | 연도 | 논문 | 피인용 | 원문 |
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학술지 | 2006 | Significance of Gate Oxide Thinning below 1.5 nm on 1/f Noise Behavior in n-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors under Electrical Stress 민봉기 Japanese Journal of Applied Physics, v.45 no.6A, pp.4943-4947 | 0 | 원문 |
구분 | 출원 | 특허 | 출원국 | 패밀리 | KIPRIS |
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구분 | 연도 | 보고서 | 책임자 | 원문 |
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