발명자

안호균, 임종원, 윤형섭, 김해천, 장우진

출원번호

12874102 (2010.09.01)

공개번호

20110057237 (2011.03.10)

등록번호

8518794 (2013.08.27)

출원국

미국

협약과제

09MR6700, 테라헤르츠대역 전파 환경 및 무선 전송 플랫폼 기술 연구, 정태진

초록

Provided is a semiconductor device. The semiconductor device includes: a substrate; an active layer on the substrate; a capping layer on the active layer; source/drain electrodes on the capping layer; a gate electrode on the active layer; and a first void region on a first sidewall of the gate electrode and a second void region on a second sidewall facing the first sidewall.

패밀리

 

패밀리 특허 목록

구분	특허	출원국	KIPRIS
등록	반도체 소자 및 그 형성 방법	대한민국	KIPRIS