특허 상세정보

등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법

비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법
발명자
윤성민, 양신혁, 변춘원, 박상희, 황치선, 정순원, 유병곤, 강승열
출원번호
10166063 (1998.05.30)
공개번호
11342760 (1999.12.14)
등록번호
5417275 (2013.11.22)
출원국
일본
협약과제
09MB2900, 투명전자 소자를 이용한 스마트 창, 조경익
초록
(57)[要約][目的] トランスファ装置において、スペース的に有利にするとともに、簡単な構成で、且つ、コンパクトにすることにある。[構成] シフトシャフトと平行にコントロールシャフトを配設し、シフト
KSP 제안 키워드
Non-Volatile Memory(NVM), memory cell, non-volatile, volatile memory
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 대한민국 KIPRIS
등록 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 유기 강유전체 메모리 박막 트랜지스터로 구성된 투명 비휘발성 메모리 셀의 구조 및 그 제조 방법 미국
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 미국