Patent

Registered 반도체 소자 및 그 제조 방법

반도체 소자 및 그 제조 방법
Inventors
황치선, 박상희, Elvira Fortuna, Rodrigo Martin, 변춘원, Nuno Correia, Raquel Barros, Pedro Barquinh, Vitor M.L FIGUEIREDO
Application No.
10-2010-0104744 (2010.10.26) KIPRIS
Publication No.
10-2012-0138254 (2012.12.26)
Registration No.
10-1420289-0000 (2014.07.10)
Country
KOREA
Project Code
09MB2900, Smart window with transparent electronic devices, Cho Kyoung Ik
Abstract
본 발명은 P형 산화물 반도체막이 적용된 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 소자에 있어서, 구리 금속이 함유된 일산화구리산화물; 주석 금속이 함유된 일산화주석산화물; 구리 및 주석 합금이 함유된 구리주석산화물; 및 니켈 주석 합금이 함유된 니켈주석산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 P형 산화막을 기반으로 하는 P형 산화막을 포함한다. 본 발명에 따르면, P형 산화막을 이용하여 투명 또는 불투명 소자들을 용이하게 개발할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 저온 공정이 가능한 산화막을 반도체 소자에 적용하므로, 제조 공정이 간단하고, 제조 단가가 낮다는 장점이 있다.
KSP Keywords
semiconductor device
Family
 
패밀리 특허 목록
Status Patent Country KIPRIS
Registered SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME UNITED STATES