발명자

김성일, 문재경, 이상흥, 윤형섭, 민병규, 이종민, 남은수, 임종원

출원번호

13618873 (2012.09.14)

공개번호

20130134554 (2013.05.30)

등록번호

8853821 (2014.10.07)

출원국

미국

협약과제

11ZB1100, 융.복합부품 핵심기술 연구, 남은수

초록

Provided are vertical capacitors and methods of forming the same. The formation of the vertical capacitor may include forming input and output electrodes on a top surface of a substrate, etching a bottom surface of the substrate to form via electrodes, and then, forming a dielectric layer between the via electrodes. As a result, a vertical capacitor with high capacitance can be provided in a small region of the substrate.

KSP 제안 키워드

Bottom surface, dielectric layer, high capacitance, input and output

패밀리

 

패밀리 특허 목록

구분	특허	출원국	KIPRIS
등록	수직구조 캐패시터 및 수직구조 캐패시터의 형성 방법	대한민국	KIPRIS