Inventors

배성범, 김성복

Application No.

10-2016-0095728 (2016.07.27) KIPRIS

Publication No.

10-2018-0012917 (2018.02.07)

Registration No.

10-2152195-0000 (2020.08.31)

Country

KOREA

Project Code

15PB2100, The development of epi-growth analysis for next generation semiconductor and power semiconductor fundamental technology, Bae Sung-Bum

Abstract

제 1 기판 상에 제 1 에피층, 희생층, 제 2 에피층 및 제 3 에피층을 순차적으로 적층하는 것, 상기 제 3 에피층, 상기 제 2 에피층 및 상기 희생층을 관통하는 트렌치를 형성하는 것, 상기 제 3 에피층의 상면 상에 구조층을 형성하는 것, 상기 트렌치의 내면 및 상기 구조층을 덮는 금속막을 형성하는 것, 상기 트렌치를 채우고, 상기 금속막을 덮는 제 2 기판을 형성하는 것, 및 상기 제 1 에피층으로부터 상기 제 2 에피층, 상기 제 3 에피층 및 상기 구조층을 분리하는 것을 포함하는 반도체소자의 제조 방법을 제공한다.

KSP Keywords

semiconductor device

Family

 

패밀리 특허 목록

Status	Patent	Country	KIPRIS
Registered	SEMICONDUCTOR DEVICE	UNITED STATES
Registered	SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME	UNITED STATES