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등록 원자층 증착법에서의 박막의 증착속도 및 박막 조밀도의 조절방법

원자층 증착법에서의 박막의 증착속도 및 박막 조밀도의 조절방법
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발명자
임정욱, 윤선진, 이진호
출원번호
10645671 (2003.08.22)
등록번호
6730614 (2004.05.04)
출원국
미국
협약과제
초록
The present invention relates to a method of forming a thin film in a semiconductor device. According the method, the thin film is formed by alternately repeating an atomic layer deposition (ALD) method and a plasma enhanced atomic layer deposition (PEALD) method and further by adjusting the ratio of repetition times of the methods, so that it is possible to adjust and estimate the growth rate, density, and material properties such as refraction index, dielectric constant, electric resistance, etc.
KSP 제안 키워드
Atomic Layer Deposition, Dielectric Constant, Electric resistance, Growth rate, Layer deposition, Plasma-enhanced, Plasma-enhanced atomic layer deposition, Repetition times, atomic layer, material properties, refraction index, semiconductor device, thin film(TF)
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 소자의 박막 형성방법 대한민국 KIPRIS