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상세정보

등록 저전력 동작이 가능한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법

저전력 동작이 가능한 상변화 메모리 소자 및 그 제조방법
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발명자
조성목, 유인규, 류상욱, 이남열, 윤성민, 유병곤, 김귀동
출원번호
10737071 (2003.12.15)
공개번호
20040203183 (2004.10.14)
등록번호
7026639 (2006.04.11)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided is a phase-change element capable of operating with low power consumption and a method of manufacturing the same. The phase-change element comprises a first electrode used as a heating layer, a second electrode, which is laterally disposed adjacent to the first electrode, and a memory layer made of a phase-change material located between and contacting the side surfaces of the first electrode and the second electrode.
KSP 제안 키워드
Low-Power, Phase Change Material(PCM), Phase change, Power Consumption, low power consumption, low-power operation, memory element, power operation