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등록 SOI BiCMOS 기술을 이용한 저전력 반도체 소자 제조 방법

SOI BiCMOS 기술을 이용한 저전력 반도체 소자 제조 방법
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발명자
강진영, 이승윤, 조경익
출원번호
11019179 (2004.12.23)
공개번호
20050139921 (2005.06.30)
등록번호
7348632 (2008.03.25)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided are an NMOS device, a PMOS device and a SiGe HBT device which are implemented on an SOI substrate and a method of fabricating the same. In manufacturing a Si-based high speed device, a SiGe HBT and a CMOS are mounted on a single SOI substrate. In particular, a source and a drain of the CMOS are formed of SiGe and metal, and thus leakage current is prevented and low power consumption is achieved. Also, heat generation in a chip is suppressed, and a wide operation range may be obtained even at a low voltage.
KSP 제안 키워드
Heat generation, High Speed, Leakage current, Low-Power, Operation range, Power Consumption, SOI substrate, Si-based, SiGe HBT, low power consumption, low voltage
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 SOI BiCMOS 기술을 이용한 저전력 반도체 소자 제조방법 미국