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등록 열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터

열경화성 유기고분자 게이트 절연막 조성물 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터
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발명자
김기현, 윤성민, 유인규, 서경수, 안성덕, 백규하, 강승열
출원번호
11204693 (2005.08.16)
공개번호
20060097249 (2006.05.11)
등록번호
7482625 (2009.01.27)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided are a composition for thermosetting organic polymeric gate insulating layer and an organic thin film transistor using the same. The composition for thermosetting organic polymeric gate insulating layer contains a thermosetting material in polyvinyl phenol as an organic polymeric gate insulating layer material, to improve a chemical resistance and an insulating property, and an organic thin film transistor includes a thermosetting organic polymeric gate insulating layer formed of the composition. The composition for thermosetting organic polymeric gate insulating layer endows an organic polymer with a thermosetting property, thereby being capable of improving the chemical resistance and the insulating property as well as of forming a layer having a device property improved.
KSP 제안 키워드
Chemical resistance, Insulating properties, Organic thin film, Organic thin-film transistors, Thin-Film Transistor(TFT), insulating layer, organic polymer, thin film(TF)