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등록 저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 적용한 유기 박막 트랜지스터

저온 경화형 고분자 게이트 절연막 및 이를 적용한 유기 박막 트랜지스터
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발명자
김기현, 윤성민, 강승열, 안성덕, 서경수, 백규하, 유인규
출원번호
11354711 (2006.02.15)
공개번호
20070085071 (2007.04.19)
등록번호
7586119 (2009.09.08)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided are a low temperature-cured polymer gate insulation layer and an organic thin film transistor having the same. The gate insulation layer includes an acrylate-based compound, an anhydride-based compound, and an epoxy-based compound each by 0.1 weight % or more.
KSP 제안 키워드
Epoxy-based, Insulation layer, Low temperature(LT), Organic thin film, Organic thin-film transistors, Thin-Film Transistor(TFT), thin film(TF)