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상세정보

등록 반도체 장치 및 그 형성 방법

반도체 장치 및 그 형성 방법
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발명자
권오균, 표정형, 김경옥, 서동우
출원번호
12130877 (2008.05.30)
공개번호
20090152673 (2009.06.18)
등록번호
7790567 (2010.09.07)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided is a semiconductor and a method for forming the same. The method includes forming a buried insulating layer locally in a substrate. The substrate is etched to form an opening exposing the buried insulating layer, and a silicon pattern spaced in at least one direction from the substrate is formed on the buried insulating layer. A first insulating layer is formed to enclose the silicon pattern.
KSP 제안 키워드
insulating layer, semiconductor device
패밀리
 
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