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등록 상 변화 물질을 이용한 전자 소자, 상 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법

상 변화 물질을 이용한 전자 소자, 상 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법
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발명자
이승윤, 유병곤, 정순원, 윤성민, 박영삼
출원번호
12326776 (2008.12.02)
공개번호
20090146128 (2009.06.11)
등록번호
7989793 (2011.08.02)
출원국
미국
초록
Provided are a nonvolatile memory device and a method of fabricating the same, in which a phase-change layer is formed using a solid-state reaction to reduce a programmable volume, thereby lessening power consumption. The device includes a first reactant layer, a second reactant layer formed on the first reactant layer, and a phase-change layer formed between the first and second reactant layers due to a solid-state reaction between a material forming the first reactant layer and a material forming the second reactant layer. The phase-change memory device consumes low power and operates at high speed.
KSP 제안 키워드
Electrical devices, High Speed, Low-Power, Non-Volatile Memory(NVM), Nonvolatile memory devices, Phase Change Material(PCM), Phase change, Power Consumption, Solid state reaction, material forming, memory device, solid state
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 고상 반응을 이용하는 상변화 메모리 소자 및 그 제조 방법 미국
등록 상 변화 물질을 이용한 전자 소자, 상 변화 메모리 소자 및 이의 제조 방법 일본