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상세정보

등록 반도체 장치의 제조 방법

반도체 장치의 제조 방법
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발명자
김인규, 권오균, 김경옥, 서동우
출원번호
12488577 (2009.06.21)
공개번호
20100159674 (2010.06.24)
등록번호
7927988 (2011.04.19)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided is a method of fabricating a semiconductor device. The method includes forming a first layer, a second layer, an ion implantation layer between the first and second layers, and an anti-oxidation layer on the second layer, and performing a heat treating process to form an insulating layer between the first and second layers while preventing loss of the second layer using the anti-oxidation layer.
KSP 제안 키워드
Anti-oxidation, First layer, Heat treating, Ion implantation, Oxidation layer, Treating process, insulating layer, semiconductor device