ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 확산 영역을 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법

확산 영역을 포함하는 화합물 반도체 소자의 형성 방법
이미지 확대
발명자
박미란, 민봉기, 심재식, 오대곤, 권용환
출원번호
12508382 (2009.07.23)
공개번호
20100144123 (2010.06.10)
등록번호
8030188 (2011.10.04)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided is a method of forming a compound semiconductor device. In the method, a dopant element layer is formed on an undoped compound semiconductor layer. An annealing process is performed to diffuse dopants in the dopant element layer into the undoped compound semiconductor layer, thereby forming a dopant diffusion region. A rapid cooling process is performed using liquid nitrogen with respect to the substrate having the dopant diffusion region.
KSP 제안 키워드
Compound semiconductor device, Cooling process, Dopant diffusion, Rapid cooling process(RCP), annealing process, compound semiconductor, liquid nitrogen, rapid cooling, semiconductor device