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상세정보

등록 자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체

자기정렬 전계 효과 트랜지스터 구조체
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발명자
도이미, 백규하
출원번호
12619116 (2009.11.16)
공개번호
20100155793 (2010.06.24)
등록번호
8143670 (2012.03.27)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided is a self aligned filed effect transistor structure. The self aligned field effect transistor structure includes: an active region on a substrate; a U-shaped gate insulation pattern on the active region; and a gate electrode self-aligned by the gate insulation pattern and disposed in an inner space of the gate insulation pattern.
KSP 제안 키워드
Field-effect transistors(FETs), U-shaped, active region, field effect, gate electrode, self-Aligned, transistor structure