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등록 다층 히터를 포함하는 상변화 메모리 소자

다층 히터를 포함하는 상변화 메모리 소자
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발명자
이승윤, 최규정, 유병곤, 이남열, 윤성민, 박영삼
출원번호
12821414 (2010.06.23)
공개번호
20100258780 (2010.10.14)
등록번호
8872146 (2014.10.28)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided are a Phase-change Random Access Memory (PRAM) device and a method of manufacturing the same. In particular, a PRAM device including a heating layer, wherein the heating layer comprises first and second heating layers having different physical properties from each other and a method of manufacturing the same are provided. Since the PRAM device according to the present invention includes a heating layer having optimal heating characteristics, a PRAM device having high reliability and excellent operating characteristics can be manufactured.
KSP 제안 키워드
Heating characteristics, Heating layers, High Reliability, Layer structure, Operating characteristics, Phase Change Material(PCM), Phase change, Phase-change random access memory(PRAM), Physical Properties, Random Access, memory device, multi-layer, multilayer structure, random access memory
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 다층 히터를 포함하는 상변화 메모리 소자 미국