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등록 전계효과트랜지스터의 제조 방법

전계효과트랜지스터의 제조 방법
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발명자
안호균, 임종원, 윤형섭, 김해천, 장우진
출원번호
12874102 (2010.09.01)
공개번호
20110057237 (2011.03.10)
등록번호
8518794 (2013.08.27)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided is a semiconductor device. The semiconductor device includes: a substrate; an active layer on the substrate; a capping layer on the active layer; source/drain electrodes on the capping layer; a gate electrode on the active layer; and a first void region on a first sidewall of the gate electrode and a second void region on a second sidewall facing the first sidewall.
KSP 제안 키워드
Active Layer, Capping layer, Source/drain electrodes, gate electrode, semiconductor device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 소자 및 그 형성 방법 대한민국 KIPRIS