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등록 임베디드 상변화 메모리 제조 방법

임베디드 상변화 메모리 제조 방법
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발명자
이승윤, 윤성민, 최규정, 유병곤, 이남열, 류상욱, 박영삼
출원번호
12942255 (2010.11.09)
공개번호
20110065246 (2011.03.17)
등록번호
8071396 (2011.12.06)
출원국
미국
협약과제
초록
An embedded memory required for a high performance, multifunction SOC, and a method of fabricating the same are provided. The memory includes a bipolar transistor, a phase-change memory device and a MOS transistor, adjacent and electrically connected, on a substrate. The bipolar transistor includes a base composed of SiGe disposed on a collector. The phase-change memory device has a phase-change material layer which is changed from an amorphous state to a crystalline state by a current, and a heating layer composed of SiGe that contacts the lower surface of the phase-change material layer.
KSP 제안 키워드
Amorphous state, Bipolar transistors, Crystalline state, Embedded memory, High performance, MOS transistor, Phase Change Material(PCM), Phase change, memory device, memory required
패밀리
 
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등록 임베디드 상변화 메모리 제조 방법 미국