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등록 애벌런치 광다이오드 및 그 형성 방법

애벌런치 광다이오드 및 그 형성 방법
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발명자
박미란, 권오균
출원번호
13191758 (2011.07.27)
공개번호
20120104531 (2012.05.03)
등록번호
8710546 (2014.04.29)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided are an avalanche photodiode and a method of fabricating the same. The method of fabricating the avalanche photodiode includes sequentially forming a compound semiconductor absorption layer, a compound semiconductor grading layer, a charge sheet layer, a compound semiconductor amplification layer, a selective wet etch layer, and a p-type conductive layer on an n-type substrate through a metal organic chemical vapor deposition process.
KSP 제안 키워드
Absorption layer, Avalanche photo diode(APD), Chemical Vapor Deposition, Chemical vapor deposition process, Conductive layer, Metal-Organic, Metalorganic chemical vapor deposition, N-type, Organic chemical, chemical vapor, compound semiconductor, deposition process, n-type substrate, p-Type, vapor deposition, wet etch
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법 대한민국 KIPRIS
등록 애벌런치 포토다이오드 및 제조 방법 미국