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등록 반도체 소자 및 이의 제조방법

반도체 소자 및 이의 제조방법
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발명자
임종원, 안호균, 장우진, 김해천, 강동민, 남은수
출원번호
13274367 (2011.10.17)
공개번호
20120146107 (2012.06.14)
등록번호
8609474 (2013.12.17)
출원국
미국
협약과제
초록
Disclosed are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. In the semiconductor device according to an exemplary embodiment of the present disclosure, at the time of forming a source electrode, a drain electrode, a field plate electrode, and a gate electrode on a substrate having a heterojunction structure such as AlGaN/GaN, the field plate electrode made of the same metal as the gate electrode is formed on the side surface of a second support part positioned below a head part of the gate electrode so as to prevent the gate electrode from collapsing and improve high-frequency and high-voltage characteristic of the semiconductor device.
KSP 제안 키워드
Drain electrode, Field Plate, High Frequency(HF), High Voltage, Second support, Support part, gate electrode, heterojunction structure, semiconductor device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 소자 및 이의 제조방법 대한민국 KIPRIS