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등록 메모리 셀 및 이를 이용한 장치

메모리 셀 및 이를 이용한 장치
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발명자
김병훈, 변춘원, 윤성민, 양신혁, 조경익, 황치선, 박상희, 유민기
출원번호
13300688 (2011.11.21)
공개번호
20120134197 (2012.05.31)
등록번호
8493768 (2013.07.23)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided is a memory cell including: a ferroelectric transistor; a plurality of switching elements electrically connected to the ferroelectric transistor; and a plurality of control lines for transmitting individual control signals to each of the plurality of switching element for separately controlling the plurality of switching elements. The plurality of switching elements are configured to be separately controlled on the basis of the individual control signals so as to prevent each electrode of the ferroelectric transistor from being floated.
KSP 제안 키워드
Control Signal, Individual control, Switching element, control lines, memory cell, memory device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 메모리 셀 및 이를 이용한 메모리 장치 대한민국 KIPRIS