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상세정보

등록 멀티플 필드 플레이트를 포함하는 전계효과 트랜지스터

멀티플 필드 플레이트를 포함하는 전계효과 트랜지스터
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발명자
안호균, 이상흥, 임종원, 김해천, 윤형섭, 남은수, 민병규
출원번호
13307069 (2011.11.30)
공개번호
20120153361 (2012.06.21)
등록번호
8586462 (2013.11.19)
출원국
미국
협약과제
초록
Disclosed are a method of manufacturing a field-effect transistor. The disclosed method includes: providing a semiconductor substrate; forming a source ohmic metal layer on one side of the semiconductor substrate; forming a drain ohmic metal layer on another side of the semiconductor substrate; forming a gate electrode between the source ohmic metal layer and the drain ohmic metal layer, on an upper portion of the semiconductor substrate; forming an insulating film on the semiconductor substrate's upper portion including the source ohmic metal layer, the drain ohmic metal layer and the gate electrode; and forming a plurality of field electrodes on an upper portion of the insulating film, wherein the insulating film below the respective field electrodes has different thicknesses.
KSP 제안 키워드
Different thicknesses, Field-effect transistors(FETs), Insulating film, Manufacturing method, Ohmic metal, field effect, gate electrode, metal layer, semiconductor substrate
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 전계효과 트랜지스터 및 그 제조 방법 대한민국 KIPRIS