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상세정보

등록 다층 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법

다층 비휘발성 기억소자 및 그 제조방법
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발명자
최성율, 정후영
출원번호
13690286 (2012.11.30)
공개번호
20130089965 (2013.04.11)
등록번호
8980721 (2015.03.17)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided are resistive memory devices and methods of fabricating the same. The resistive memory devices and the methods are advantageous for high integration because they can provide a multilayer memory cell structure. Also, the parallel conductive lines of adjacent layers do not overlap each other in the vertical direction, thus reducing errors in program/erase operations.
KSP 제안 키워드
Cell structure, Conductive lines, Resistive memory, Resistive memory devices, memory cell, memory device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법 대한민국 KIPRIS
등록 저항형 메모리 장치 및 그 제조 방법 미국