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등록 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 유기 강유전체 메모리 박막 트랜지스터로 구성된 투명 비휘발성 메모리 셀의 구조 및 그 제조 방법

산화물 반도체 박막 트랜지스터와 유기 강유전체 메모리 박막 트랜지스터로 구성된 투명 비휘발성 메모리 셀의 구조 및 그 제조 방법
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발명자
윤성민, 양신혁, 변춘원, 박상희, 황치선, 정순원, 유병곤, 강승열
출원번호
14022705 (2013.09.10)
공개번호
20140011297 (2014.01.09)
등록번호
8716035 (2014.05.06)
출원국
미국
협약과제
초록
Provided are a nonvolatile memory cell and a method of manufacturing the same. The nonvolatile memory cell includes a memory transistor and a driver transistor. The memory transistor includes a semiconductor layer, a buffer layer, an organic ferroelectric layer, and a gate electrode, which are disposed on a substrate. The driver transistor includes the semiconductor layer, the buffer layer, a gate insulating layer, and the gate electrode, which are disposed on the substrate. The memory transistor and the driver transistor are disposed on the same substrate. The nonvolatile memory cell is transparent in a visible light region.
KSP 제안 키워드
Buffer layer, Manufacturing method, Non-Volatile Memory(NVM), Oxide semiconductor, Thin-Film Transistor(TFT), Visible Light, ferroelectric thin film, gate electrode, insulating layer, memory cell, non-volatile, organic ferroelectric, thin film(TF), volatile memory
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 대한민국 KIPRIS
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 미국
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 일본