상세정보
등록 수퍼접합형 선택적 에피택셜 도핑을 이용한 트렌치 게이트 전력소자의 제조방법
- 출원번호
- 14100780 (2013.12.09)
- 공개번호
- 20140091388 (2014.04.03)
- 등록번호
- 8975692 (2015.03.10)
- 출원국
- 미국
- 협약과제
- 초록
- Provided are a semiconductor device and a method of fabricating the same. The method includes: forming a trench in a semiconductor substrate of a first conductive type; forming a trench dopant containing layer including a dopant of a second conductive type on a sidewall and a bottom surface of the trench; forming a doping region by diffusing the dopant in the trench dopant containing layer into the semiconductor substrate; and removing the trench dopant containing layer.
- KSP 제안 키워드
- Bottom surface, semiconductor device, semiconductor substrate
- 패밀리
| 구분 | 특허 | 출원국 | KIPRIS |
|---|---|---|---|
| 등록 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 | 미국 |