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등록 초미세 에스오아이 모스 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법

초미세 에스오아이 모스 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법
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발명자
조원주, 이성재, 오지훈, 양종헌, 임기주, 박경완, 장문규
출원번호
10-2002-0057329 (2002.09.19) KIPRIS
공개번호
10-2004-0025376 (2004.03.24)
등록번호
10-0450762-0000 (2004.09.20)
출원국
대한민국
협약과제
초록
저전력 및 고속 동작이 필요한 고성능, 고집적도를 갖는 초미세 SOI 모스 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법이 제시된다. 본 발명의 제조방법은, 상부에 단결정 실리콘층이 형성된 SOI 기판을 준비한 후, 상기 기판상에 제1 도전형의 불순물이 도핑된 제1 절연물질층을 형성한다. 이어서, 상기 제1 절연물질층의 적어도 일부를 식각하여 상기 단결정 실리콘층을 노출시키는 개구부를 형성한 후, 상기 개구부에 의해 노출된 상기 단결정 실리콘층에 제2 도전형의 불순물을 주입하여 채널영역을 형성하고, 열처리에 의해 상기 제1 절연물질층의 불순물을 확산시켜 상기 단결정 실리콘층내에 소오스 영역 및 드레인 영역을 형성한다. 계속하여, 상기 채널영역 상의 상기 개구부내에 게이트 절연막을 형성한 후, 상기 게이트 절연막상에 상기 개구부에 자기정합되는 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 상기 게이트 전극이 형성된 상기 기판의 전면에 제2 절연물질층을 형성한 후, 상기 제2 절연물질층의 일부를 식각하여 상기 게이트 전극, 소오스 영역 및 드레인 영역을 각기 노출시키는 콘택홀들을 형성하고, 상기 콘택홀들을 매립하는 금속배선들을 형성하는 단계를 포함한다. SOI, 이온주입, 채널, 확산, 불순물 이온, 경사각도, 개구부
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등록 초미세 에스오아이 모스 전계효과 트랜지스터 및 그의 제조방법 미국