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상세정보

등록 전류 제한 구조를 갖는 반도체 광소자의 제조방법

전류 제한 구조를 갖는 반도체 광소자의 제조방법
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발명자
송현우, 박상희, 김종희, 신재헌, 한원석, 권오균, 주영구
출원번호
10-2002-0069586 (2002.11.11) KIPRIS
공개번호
10-2004-0041730 (2004.05.20)
등록번호
10-0523484-0000 (2005.10.17)
출원국
대한민국
협약과제
초록
전류 제한 구조(current-confined structure)를 갖는 반도체 광소자의 제조방법를 제공한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도층이 순차적으로 적층되는 메사 구조를 형성한 후, 상기 제1 반도체층, 제2 반도체층 및 제3 반도체층을 구성하는 물질층중 적어도 어느 하나의 물질층을 선택적으로 습식에칭하여 측면부에 리세스를 형성한다. 상기 리세스의 일부 혹은 전체를 채우면서 상기 제1 반도체층 내지 제3 반도체층의 측벽면에 산화막 혹은 질화막을 형성하여 상기 리세스된 물질층으로 전류 주입 경로를 갖게 한다. 이상과 같이 제조된 본 발명의 반도체 광소자는 광통신 파장 영역에서 사용 가능하고 역학적으로 안정하고 열전도도가 우수하며 상업성을 갖춘 전류 제한 구조를 갖는다.
KSP 제안 키워드
Confined structure
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 광소자와 그 제작 방법 미국
등록 전류제한구조를 갖는 반도체 광소자 미국
등록 전류제한구조를 갖는 반도체 광소자 일본