ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 감광막 패턴 형성 방법

감광막 패턴 형성 방법
이미지 확대
발명자
정문연, 전치훈
출원번호
10-2002-0069883 (2002.11.12) KIPRIS
공개번호
10-2004-0041824 (2004.05.20)
등록번호
10-0504666-0000 (2005.07.21)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 감광막 패턴 형성 방법에 관한 것으로, 반도체 소자 또는 MEMS 소자 제고 공정중 고단차 수직 트렌치의 개구부를 DFR으로 봉쇄하여 포토리소그라피를 가능하게 하고, 감광막 패턴을 형성하기 위해 감광막을 스핀 도포 방식으로 도포할 경우 감광막이 트렌치 내부로 흘러 들어가는 것이 예방할 수 있으며, 고단차 수직 트렌치의 개구부 가장자리에 스핀도포하는 감광막을 안정하게 부착할 수 있는 감광막 패턴 형성 방법을 제공한다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 감광막 패턴 형성 방법 미국