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등록 적외선 흡수층으로 실리콘 산화막을 사용한 적외선 센서및 그 제조 방법

적외선 흡수층으로 실리콘 산화막을 사용한 적외선 센서및 그 제조 방법
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발명자
류상욱, 조성목, 유병곤, 김귀동
출원번호
10-2003-0039661 (2003.06.19) KIPRIS
공개번호
10-2004-0109999 (2004.12.29)
등록번호
10-0538996-0000 (2005.12.20)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 멤스(MEMS) 공정을 적용한 초전형 적외선 센서에 관한 것으로, 적외선 센서 구조체의 최상부에 위치하는 적외선 흡수층을 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성하여 약 8 내지 12㎜ 대역의 적외선 파장에 대하여 뛰어난 흡수 효과를 보이고, 센서 픽셀(pixel)의 보호막 역할을 할 수 있게 한다. 또한, 적외선 흡수층, 지지아암 및 기둥을 일체형으로 형성하여 센서 구조체의 구조를 견고하게 하고, 제작 공정의 단계를 획기적으로 감소시켜 공정 수율을 높인다.
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등록 Infrared Ray Sensor Using Silicon Oxide Film as Infrared Ray Absorption Layer and Method of Fabricat 미국