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등록 다중게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법

다중게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법
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발명자
조영균, 권성구, 김종대, 이대우, 노태문
출원번호
10-2004-0037571 (2004.05.25) KIPRIS
공개번호
10-2005-0112471 (2005.11.30)
등록번호
10-0532564-0000 (2005.11.24)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 다중 게이트 모스 트랜지스터 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 단결정 실리콘 패턴의 형태와 실리콘의 결정 방향에 따른 열산화 속도 차이를 이용하여 유선(∩) 형태의 채널, 점차 증가하는 형태의 확장 영역 및 상승된 구조의 소스 및 드레인을 구현한다. 채널이 유선(∩) 형태로 형성됨으로써 전계의 집중으로 인한 소자의 신뢰성 저하가 방지되며, 채널의 상부와 양 측벽이 게이트 전극으로 둘러싸여지기 때문에 게이트 전압에 의한 전류 구동 능력이 우수해진다. 또한, 크기가 증가된 확장 영역으로 인해 전류 밀집 현상이 방지되며, 상승된 소스 드레인 구조에 의해 소스 및 드레인 직렬 저항이 감소되어 전류 구동 능력이 증대된다.
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 다중게이트 모스구조와 그 제조방법 미국
등록 다중게이트 모스 트랜지스터 및 그 제조 방법 미국