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상세정보

등록 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법

반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법
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발명자
문재경, 김해천, 안호균, 지홍구, 장우진, 임종원
출원번호
10-2004-0093330 (2004.11.16) KIPRIS
공개번호
10-2006-0054686 (2006.05.23)
등록번호
10-0592735-0000 (2006.06.16)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 반절연 기판 상에 완충층, 제1 실리콘 도핑층, 제1 전도층, 상기 제1 실리콘 도핑층과 다른 도핑 농도를 가지는 제2 실리콘 도핑층 및 제2 전도층이 순차적으로 적층된 에피 기판과, 상기 제1 실리콘 도핑층의 소정 깊이까지 침투되도록 상기 제2 전도층의 양측 상에 형성되어 오믹 접촉을 형성하는 소오스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이의 제2 전도층 상에 형성되어 상기 제2 전도층과 콘택을 형성하는 게이트 전극을 포함함으로써, 격리도의 증가와 스위칭 속도를 증가시킬 수 있으며, 게이트 턴-온 전압의 증가, 항복전압의 증가 및 수평전도성분의 감소로 인하여 스위치 소자에 인가되는 최대 전압 한계값을 증가시켜 스위치 장치의 전력수송능력의 개선에 따른 고전력 저왜곡 특성 및 격리도의 증가를 기대할 수 있는 효과가 있다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 고전력 고주파 제어회로용 화합물 반도체 소자의 구조 및 제조방법 미국
등록 반도체 소자의 트랜지스터 및 그 제조방법 미국