ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 전계효과 트랜지스터의 제조방법

전계효과 트랜지스터의 제조방법
이미지 확대
발명자
안호균, 임종원, 김해천, 지홍구, 문재경, 장우진
출원번호
10-2004-0100421 (2004.12.02) KIPRIS
공개번호
10-2006-0061627 (2006.06.08)
등록번호
10-0606290-0000 (2006.07.21)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 전계효과 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로, 다층의 감광막을 이용한 리소그라피 공정, 절연막 건식 식각공정에서의 감광막과 절연막 사이의 건식 식각선택비를 이용하여 서로 다른 문턱전압을 가지는 각기 다른 트랜지스터를 한 기판 상에 동시에 제조함으로써, 모드 또는 문턱전압이 서로 다른 트랜지스터를 동일 기판 상에 제조하는데 있어 별도의 리소그라피 공정과 그에 따른 추가적인 공정 단계를 감소시켜 제조 공정 비용을 감소시키고 소자의 안정성 및 생산성을 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 전계효과 트랜지스터의 제조방법 미국
등록 전계효과 트랜지스터의 제조방법 일본