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등록 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를 포함하는 집적회로

가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를 포함하는 집적회로
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발명자
윤두협, 맹성렬, 김상협, 이상훈, 박종혁, 강광용, 주철원
출원번호
10-2006-0083570 (2006.08.31)
등록번호
10-0799577-0000 (2008.01.24)
출원국
대한민국
협약과제
초록
상온 ∼ 400 ℃의 온도 범위에서 제조 가능한 가스 및 생화학물질 감지용 센서 제조 방법과 그 센서를 포함하는 MOSFET 기반의 집적회로 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 집적 회로는 반도체 기판과, 상기 반도체 기판상에 형성되고 한 쌍의 전극과 상기 한 쌍의 전극 표면에 형성되어 있는 금속 산화물 나노 구조물층을 포함하는 가스 및 생화학물질 감지용 센서와, 금속 산화물 나노 구조물층의 감지 물질을 재사용할 수 있도록 열처리하기 위한 히터와, 센서 전극을 통해 흐르는 전류량 변화로부터 얻어지는 소정 신호를 처리하기 위한 MOSFET 소자로 이루어지는 신호처리부를 포함한다. 센서를 형성하기 위하여, 상온 ∼ 400 ℃의 온도하에서 한 쌍의 전극 표면에 금속 산화물 나노 구조물층을 형성한다.