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등록 산화물 반도체막상에 보호막을 형성하여 패터닝하는 박막 트랜지스터의 제조방법

산화물 반도체막상에 보호막을 형성하여 패터닝하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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발명자
박상희, 황치선, 조경익, 추혜용
출원번호
10-2007-0037301 (2007.04.17)
등록번호
10-0857455-0000 (2008.09.02)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 산화물 반도체막의 패터닝 과정에서 반도체막의 표면을 포토레지스터(photoresistor: PR), 포토레지스터 스트리퍼(PR stripper) 등으로부터 보호하기 위하여, 반도체막을 형성한 후 원자층 증착법을 이용하여 보호막(protection layer)으로서의 보호 절연막을 형성한 후 반도체막과 보호 절연막을 동일한 마스크를 사용하여 패터닝하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 일실시 형태의 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소스 및 드레인 전극이 형성된 상기 기판 전면에 산화물 반도체막을 증착하는 단계; 원자층 증착법을 이용하여 상기 산화물 반도체막 상에 상기 산화물 반도체막을 보호하는 보호 절연막을 증착하는 단계; 상기 반도체막과 상기 보호 절연막을 동시에 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 보호 절연막 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함한다. 이에 따라, 트랜지스터의 누설전류(off- current)를 줄일 수 있고 이동도를 향상시킬 수 있고, 또한 서브쓰레홀드 스윙(sub-threshold swing) 값을 줄일 수 있다. 또한, 상기 보호막으로서의 보호 절연막을 하부 게이트 전극 구조에 이용하는 경우에는 환경으로부터 소자를 보호하는 역할을 수행할 수 있어 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.
KSP 제안 키워드
Protection layer, Sub-threshold, subthreshold swing(SS)