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상세정보

등록 질화물 반도체 발광 소자

질화물 반도체 발광 소자
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발명자
이규석, 배성범
출원번호
10-2007-0046618 (2007.05.14) KIPRIS
공개번호
10-2008-0050942 (2008.06.10)
등록번호
10-0868530-0000 (2008.11.06)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 질화물 반도체 발광 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광 소자는 우르짜이트 격자구조를 갖는 Ga-face로 성장된 질화물 반도체로 구성된 발광 소자에 있어서, 기판 상에 완충층, 제 1 p-형 컨택층, 제 2 p-형 컨택층, 제 1 정공확산층, 제 2 정공확산층, 발광활성 영역, 제 2 전자확산층, 제 1 전자확산층, 제 2 n-형 컨택층 및 제 1 n-형 컨택층이 순차적으로 적층된 구조이다.이와 같은 구조는 통상적으로 Ga-face로 성장된 우르짜이트 격자 구조에서 발생하는 자발 분극 및 삐에조 전기적 분극 현상으로 인해 이종접합 계면에 형성되는 준2차원 자유전자 및 자유정공 기체를 효과적으로 이용할 수 있어, 발광 소자의 발광면에서 발광의 균일도를 개선하고, 그 결과 소자의 전체 발광면에서 발광 효율을 높인다.