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상세정보

등록 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법

쇼트키 장벽 관통 트랜지스터 및 그 제조방법
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발명자
김약연, 장문규, 이성재
출원번호
10-2007-0093044 (2007.09.13) KIPRIS
공개번호
10-2008-0052315 (2008.06.11)
등록번호
10-0921020-0000 (2009.10.01)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 금속-반도체 접합을 통하여 형성되는 쇼트키장벽(schottky barrier)을 이용한 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터(Schottky Barrier Tunnel Transistor) 및 그 제조방법에 관한 것으로, 이를 위한 본 발명의 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터는 실리콘기판의 채널영역 상부에 금속산화물로 형성된 게이트절연막; 상기 게이트절연막 상부에 금속물질로 형성된 게이트전극 및 상기 게이트전극 양측에 자기정렬되고(self-aligned), 상기 실리콘기판에 금속실리사이드로 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하고 있으며, 이를 통하여 쇼트키 장벽 관통 트랜지스터의 동작특성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
KSP 제안 키워드
Schottky barriers(SBs), Tunnel transistors, self-Aligned