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상세정보

등록 티형 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그의 제조 방법

티형 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그의 제조 방법
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발명자
임종원, 장우진, 김해천, 안호균, 유현규, 문재경, 지홍구
출원번호
10-2007-0125466 (2007.12.05) KIPRIS
공개번호
10-2009-0058730 (2009.06.10)
등록번호
10-0922575-0000 (2009.10.13)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 소스 저항, 기생 캐패시턴스 및 게이트 저항을 감소시켜 소자의 안정성 및 고주파 특성을 향상시킬 수 있는 티형 게이트 전극을 구비한 반도체 소자 및 그 제조 방법을 제공하는 것으로서, 상기 반도체 소자는, 기판 위에 소스 전극, 드레인 전극, 티형 게이트 전극을 형성하는데 있어서, 상기 티형 게이트 전극의 머리부 하단에 위치한 지지부의 측면에 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어지는 제1,2 보호막을 적층하여 형성하고, 또한, 상기 소스 전극 및 드레인 전극의 측면에 상기 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막으로 이루어진 상기 제2 보호막을 형성함으로써, 소자의 활성 영역을 보호하고, 게이트-드레인, 게이트-소스 간의 기생 캐패시턴스를 감소시킨다.