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상세정보

등록 단파장용 바이폴라 광트랜지스터 및 그 제조 방법

단파장용 바이폴라 광트랜지스터 및 그 제조 방법
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발명자
박종문, 김보우, 윤용선, 박건식, 구진근, 강진영, 유성욱
출원번호
10-2007-0125515 (2007.12.05) KIPRIS
공개번호
10-2009-0058768 (2009.06.10)
등록번호
10-0934216-0000 (2009.12.18)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 실리콘 바이폴라 단파장(파장: 300 ~ 500 nm)용 광트랜지스터 및 그 제조 방법에 관한 것으로서, 고에너지 ( ~ 2 MeV) 이온주입 공정방법을 적용함으로써 제1형 불순물의 투영비정거리(Rp)를 조정하여 표면으로부터 일정 깊이까지 저농도의 제1형 불순물층을 형성시키고, 표면에 형성된 저농도의 제1형 불순물층으로 인해 발생되는 누설전류의 특성악화를 추가적인 저에너지 이온주입 공정을 통해 형성된 제2형 불순물층에 의해 방지함으로써 소자의 특성이 개선된 고성능 실리콘 바이폴라 광트랜지스터를 제조할 수 있는 효과가 있다.