ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법

산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계효과 트랜지스터 및 이의 제조방법
이미지 확대
발명자
조두희, 양신혁, 변춘원, 조경익, 추혜용, 황치선
출원번호
10-2008-0058878 (2008.06.23) KIPRIS
공개번호
10-2009-0110193 (2009.10.21)
등록번호
10-0990217-0000 (2010.10.20)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 산화물 반도체 박막용 조성물은 알루미늄 함유 산화물, 아연 함유 산화물 및 주석 함유 산화물을 포함하며, 400℃ 이하에서 비정질 상태이다. 상기 조성물로 형성된 활성층을 구비한 전계 효과 트랜지스터는 전기적 특성의 개선 뿐만 아니라 저온 공정도 가능하며, 인듐과 갈륨과 같은 비싼 원료 물질이 사용되지 않아 경제성도 갖는다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 산화물 반도체 박막용 조성물, 이를 채용한 전계 효과 트랜지스터 및 이의 제조 방법 미국