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등록 표면 에너지 제어를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법

표면 에너지 제어를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법
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발명자
도이미, 백규하
출원번호
10-2008-0074124 (2008.07.29) KIPRIS
공개번호
10-2010-0012622 (2010.02.08)
등록번호
10-1004734-0000 (2010.12.22)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 표면 에너지 제어를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법에 관한 것으로, 게이트 절연층의 표면 에너지를 제어하여 게이트 절연층의 극성이 상부에 형성될 반도체 채널층과 동일한 극성으로 변화되도록 함으로써, 게이트 절연층의 상부에 반도체 채널층이 보다 잘 성장할 수 있도록 한 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 게이트 절연층과 반도체 채널층과의 계면 특성이 향상되어 누설 전류 발생을 최소화할 수 있을 뿐만 아니라 높은 전계 효과 이동도와 낮은 턴-온 전압을 갖는 유기 박막 트랜지스터를 구현할 수 있다.
패밀리
 
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등록 표면 에너지 제어를 이용한 유기 박막 트랜지스터 제조 방법 미국