ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법

보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법
이미지 확대
발명자
정우석, 황치선, 유민기, 정승묵, 추혜용
출원번호
10-2008-0129691 (2008.12.18) KIPRIS
공개번호
10-2010-0070937 (2010.06.28)
등록번호
10-1343570-0000 (2013.12.13)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막이 적용된 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이고, 본 발명에 따른 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 채널층으로 적용한 박막 트랜지스터는 전기적 특성을 획기적으로 향상시킬 수 있으며, 고온에서의 안정성을 크게 증가시킨다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 보론이 도핑된 산화물 반도체 박막을 적용한 박막 트랜지스터 및 그의 제조방법 미국