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등록 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기

네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기
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발명자
김상훈, 김경옥, 서동우, 주지호
출원번호
10-2009-0025685 (2009.03.26) KIPRIS
공개번호
10-2010-0063607 (2010.06.11)
등록번호
10-1213228-0000 (2012.12.11)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기에 관한 것이다. 본 발명에 따른 게르마늄 단결정 박막의 성장법은 감압 화학기상증착법(RPCVD)을 이용하여, 실리콘 기판 상에 저온에서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계; 승온시키면서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계; 및 고온에서 게르마늄 박막을 성장시키는 단계를 포함하며, 본 발명에 따른 3단계 성장법은 실리콘 기판 상에 응력이 완화되고 낮은 침투 전위 밀도를 가지면서도 표면 거칠기가 매끄러운 우수한 특성의 게르마늄 단결정 박막을 얻을 수 있다.
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등록 네가티브 광전도 특성을 갖는 게르마늄 단결정 박막의 성장법 및 이를 이용한 광검출기 미국