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등록 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법

투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법
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발명자
윤성민, 정순원, 양신혁, 강승열, 변춘원, 황치선, 조두희, 유병곤, 조경익
출원번호
10-2009-0026068 (2009.03.26) KIPRIS
공개번호
10-2010-0107799 (2010.10.06)
등록번호
10-1201891-0000 (2012.11.09)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다.
패밀리
 
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구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 미국
등록 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 미국