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등록 전계 효과 트랜지스터의 제조방법

전계 효과 트랜지스터의 제조방법
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발명자
안호균, 임종원, 김해천, 남은수, 윤형섭, 장우진
출원번호
10-2009-0123356 (2009.12.11) KIPRIS
공개번호
10-2011-0066624 (2011.06.17)
등록번호
10-1226955-0000 (2013.01.22)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 전계 효과 트랜지스터의 제조 방법을 개시한다. 이 방법은 기판 상에 활성 층과 캡핑 층을 형성하고, 상기 캡핑 층 상에 소스 전극과 드레인 전극을 형성한다. 이후, 기판 상에 층간 절연막을 형성하고, 소스 전극과 드레인 전극 사이의 층간 절연막 상에서 비대칭적인 깊이의 제 1 개구부와 제 2 개구부를 갖는 레지스트 층들을 형성한다. 제 1 개구부는 층간 절연막을 노출시키고, 제 2 개구부는 상기 레지스트 층들 중 최하부 레지스트 층을 노출시킨다. 다음으로, 제 1 개구부 바닥의 층간 절연막과 제 2 개구부 바닥의 최하부 레지스트 층을 동시에 제거하여 상기 제 1 개구부 내에 캡핑 층을 노출시키고, 상기 제 2 개구부 내에 층간 절연막을 노출시킨다. 그리고, 제 1 개구부의 캡핑 층을 제거하여 활성 층을 노출 시킨 후, 기판 상에 금속 층을 증착하여 제 1 개구부와 제 2 개구부 내에 게이트 전극과 전계 전극을 동시에 형성할 수 있기 때문에 생산성을 향상시킬 수 있다. 마지막으로 레지스트 층들을 제거하여 상기 레지스트 층들 상의 금속 층을 리프트 오프 시킬 수 있다. 활성, 캡핑(capping), 개구부, 절연막, 리프트 오프(lift-off)
KSP 제안 키워드
lift-off
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