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등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법

비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법
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발명자
윤성민, 양신혁, 변춘원, 박상희, 황치선, 정순원, 유병곤, 강승열
출원번호
10-2010-0029135 (2010.03.31) KIPRIS
공개번호
10-2011-0021632 (2011.03.04)
등록번호
10-1343569-0000 (2013.12.13)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 기술은 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 기술은 비휘발성 메모리 셀에 있어서, 기판 상에 형성된 반도체막, 버퍼막, 유기 강유전체막 및 게이트 전극을 포함하는 메모리 트랜지스터; 및 상기 기판 상에 형성된 상기 반도체막, 상기 버퍼막, 게이트 절연막 및 상기 게이트 전극을 포함하는 구동 트랜지스터를 포함한다. 본 기술에 따르면, 동일한 기판상에 형성된 메모리 트랜지스터 및 구동 트랜지스터를 구비하며, 가시광 영역에서 투명한 비휘발성 메모리 셀을 제공할 수 있다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 산화물 반도체 박막 트랜지스터와 유기 강유전체 메모리 박막 트랜지스터로 구성된 투명 비휘발성 메모리 셀의 구조 및 그 제조 방법 미국
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 미국
등록 비휘발성 메모리 셀 및 그 제조 방법 일본