ETRI-Knowledge Sharing Plaform

ENGLISH

성과물

특허 검색
구분 출원국
출원년도 ~ 키워드

상세정보

등록 반도체 소자 및 그 제조 방법

반도체 소자 및 그 제조 방법
이미지 확대
발명자
박상희, 황치선, Elvira Fortuna, Rodrigo Martin, 변춘원, Nuno Correia, Raquel Barros, Vitor M.L FIGUEIREDO, Pedro Barquinh
출원번호
10-2010-0104744 (2010.10.26) KIPRIS
공개번호
10-2012-0138254 (2012.12.26)
등록번호
10-1420289-0000 (2014.07.10)
출원국
대한민국
협약과제
초록
본 발명은 P형 산화물 반도체막이 적용된 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 반도체 소자에 있어서, 구리 금속이 함유된 일산화구리산화물; 주석 금속이 함유된 일산화주석산화물; 구리 및 주석 합금이 함유된 구리주석산화물; 및 니켈 주석 합금이 함유된 니켈주석산화물로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 하나의 P형 산화막을 기반으로 하는 P형 산화막을 포함한다. 본 발명에 따르면, P형 산화막을 이용하여 투명 또는 불투명 소자들을 용이하게 개발할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 저온 공정이 가능한 산화막을 반도체 소자에 적용하므로, 제조 공정이 간단하고, 제조 단가가 낮다는 장점이 있다.
KSP 제안 키워드
semiconductor device
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 반도체 소자 및 그 제조 방법 미국