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상세정보

등록 애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법

애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법
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발명자
박미란, 권오균
출원번호
10-2010-0108685 (2010.11.03) KIPRIS
공개번호
10-2012-0047042 (2012.05.11)
등록번호
10-1371401-0000 (2014.03.03)
출원국
대한민국
협약과제
초록
애벌런치 광다이오드 및 그 형성방법이 제공된다. 애벌런치 광다이오드의 형성방법은 엔형 기판 상에 화합물 반도체 흡수층, 화합물 반도체 그래이딩층, 차아지 시트층, 화합물 반도체 증폭층, 선택적 습식 식각층 및 피형 전극층을 유기 금속 화학 기상 증착 방법으로 순차적으로 형성하는 것을 포함한다.
패밀리
 
패밀리 특허 목록
구분 특허 출원국 KIPRIS
등록 애벌런치 포토다이오드 및 제조 방법 미국
등록 애벌런치 광다이오드 및 그 형성 방법 미국