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등록 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법

반도체 소자 및 이를 제조하는 방법
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발명자
서동우, 류호준, 김성복
출원번호
10-2010-0127787 (2010.12.14) KIPRIS
공개번호
10-2012-0066438 (2012.06.22)
등록번호
10-1725112-0000 (2017.04.04)
출원국
대한민국
초록
반도체 소자 및 이를 제조하는 방법을 제공한다. 반도체 소자는, 제1 상부면, 제1 상부면보다 낮은 제2 상부면과, 제1 및 제2 상부면 사이의 제1 수직면을 포함하는 기판, 제1 상부면에 형성된 제1 소스/드레인 영역, 수직면으로부터, 수직면과 수직인 방향으로 제2 상부면과 이격되어 연장하는 제1 나노와이어, 제1 나노와이어의 일 측면으로부터, 제1 나노와이어의 연장 방향과 동일한 방향으로 제2 상부면과 이격되어 연장하고 제2 불순물 영역을 포함하는 제2 나노와이어, 제1 나노와이어 상에 배치되는 게이트 전극, 그리고, 제1 나노와이어 및 게이트 전극 사이에 개재되는 유전체막을 포함한다.
KSP 제안 키워드
semiconductor device
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